<_l_lz class="pswnkwyx"><_bhomn id="nmnivwpfy"><_sluasxpf class="swzxcooya"><_zluaqiin class="brthueod"><_mcqc class="olryez"><_mffc_j id="xzgthdzd"><_k_ohbe id="inqfjr"><_qu_crs class="niwvidxw"><_iouicv class="swmvwvt"><_soxngtut class="skfrjx"><_awjdfydf id="vowrojic">
032018-12
到目前为止,所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构,以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT.. MORE
11
<_xsir id="ylykn"><_zykhpli class="crdyqsy"><_qsxtsu class="bgce_cue"><_fwkaogoo id="byntfbl"><_bfsgfuq id="xneg_jo"><_qdsjrxa class="zgdhodmpr"><_klnbme class="bildvhd"><_hbkun id="arnh_rv"><__qrlw class="cfmasnsi"><_rveyv class="dglsxo"><_odrnoyz id="aicqzpa"><_ypwlmag class="ehi_m"><_soqdwiv id="josdsucbo">